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Highlights
GaN und GaNFast neue Technologie
Die vollständige Form von "GaN" ist Galliumnitrid, eine neue Art von Halbleitermaterial. Es hat Eigenschaften wie eine große verbotene Bande mit hoher Wärmeleitfähigkeit, Hochtemperaturbeständigkeit, Strahlungsbeständigkeit, Säure- und Alkalibeständigkeit, hoher Festigkeit und hoher Härte usw.
Kleinere Größe und leichteres Gewicht
Mit GaN-Komponenten kann das Ladegerät klein und leicht sein und gegenüber herkömmlichen Ladegeräten größere Vorteile hinsichtlich Wärmeerzeugung und Wirkungsgradumwandlung genießen.
65 W höhere Ausgangsleistung für schnelleres Laden
Mit der GaNfast-Ladetechnologie kann jedes mobile Ladegerät die Ladegeschwindigkeit um das Fünffache erhöhen und dabei die gleiche Gehäusegröße (Gehäuse) wie bei herkömmlichen Ladegeräten beibehalten.
Unterstützt vollständige Schnellladeprotokolle für Ihre Telefone.
Normen
| Allgemeines |
Marke: Xiaomi |
| Normen | Eingangsparameter: 100-240 V - 50/60 Hz 1.7 A. Ausgangsparameter: 5V / 3A 9V / 3A 10V / 5A 12V / 3A 15V / 3A 20V / 3.25A 65W MAX Arbeitstemperatur: 0-40 ° C. |
| Gewicht & Größe | Produktgröße: 30.8 x 30.8 x 2 mm |
| Packungsinhalt | 1 X Xiaomi GaN 65W Schnellladegerät 1 X USB C zu C Kabel |
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